韩媒：三星预计将于下周宣布投入生产3纳米芯片

据韩联社6同年22日传言，惠普电子预计将在下周宣布大规模生产3nm集成电路，下一代3nm集成电路将建立在Gate-All-Around（GAA）新科技高台。惠普说是，与除此以外的FinFET工艺新科技相比，该新科技将使集成电路面积减少45%，同时性能提高30%，时脉增高50%。

当年5同年美国总统拜登访韩时造访了惠普的平泽工厂，惠普向其展示了该公司的3nm集成电路。

惠普与英特尔在集成电路生产领域保持激烈竞争。全球最大的合约集成电路生产商英特尔表示，它将在当年下半年开始大规模生产3nm集成电路。而先前惠普表示，其2nm工艺新科技节点迈入早期开发阶段，计划在2025年付诸量产。