国星光电推出KS第三部SiC MOSFET产品

IT之家 11 月 7 日最从新消息，近来，国星光电研究院上架以 TO-247-4L 为PCB形式的 NSiC-KS 系列产品，可用到伸展储能、光伏调谐、从新能源汽车充电桩等过场。

IT之家获悉，随着轻工业 4.0 时代及从新能源汽车的较快受到重视，轻工业电源、高压充电器对电压半导体器件滚轮过热、辐射强度等性能指标的要求也不断非常高，从新型高频半导体器件 SiC MOSFET 因其耐压高、导通电阻低、建成过热小等优秀特点，打算抢占从新能源市场。

国星光电的PCB核心技术通过科学系统的设计，使用带辅助源极管脚的 TO-247-4L 作为 NSiC-KS 系列产品的PCB形式，并将之用到 SiC MOSFET 上，获取分立半导体器件在滚轮过热、马达设计等方面的从新突破。

以国星光电第三代半导体器件 NSiC 系列 1200V 80mΩ 的 SiC MOSFET 产品为例，使用 NSiC-KS PCB的 SiC MOSFET，避免了马达线圈和电压线圈共用源极线路，发挥作用了这两个线圈的解耦，使得 NSiC-KS PCB的 SiC MOSFET 滚轮过热、建成过热仅有减缓，滚轮频率非常快，多毛阻抗与说是开启风险非常低。

为受限制产能，国星光电 NSiC-KS SiC MOSFET 产品有多款型号选择。同时，基于Corporation具备完整的 SiC 分立半导体器件生产线，国星光电可根据客户需，提供高性能指标、高可靠性、非常佳的产品核心技术高效率。